7nm euv和7nm区别

7nm EUV工艺能够继续挖掘7nm潜力，提升晶体管密度并降低功耗。

就拿台积电的7nm EUV来说，它的提升是非常巨大的。

相比普通7nm，7nm EUV能够提升20%晶体管密度，并降低6%到12%同频功耗。

EUV是极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography）的缩写，常被称作EUV光刻。

该光刻设备波长，从以前的193纳米，缩短到了10几纳米。这在半导体领域，是一个非常重大的突破。

借助EUV技术，厂商可以在相同的面积下，集成更多的晶体管。

CPU晶体管越多，能够同时处理的数据就越多，性能也就越强。

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7nm工艺指的是什么间距

7nm工艺中的7nm，指的是晶体管的栅极宽度。在整个芯片电路中，晶体管的栅极是最窄的线条。如果栅极宽度为7nm，则将其称为7nm制程。制程工艺的提升，可以带来更高的晶体管密度、更强的性能以及更低的功耗。